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随着纳米线生长的热阻增加，推进束撞击区域的温度逐渐升高，导致沉积速率随之降低，纳米线朝向基板弯曲，实验、数学模型和模拟均证实了上述结果。【成果简介】近日，电力美国田纳西大学JasonD.Fowlkes博士(通讯作者)等通过互补实验、电力模型和模拟确定光束诱导的加热，探究了使用聚焦电子束诱导沉积(FEBID)对网格物体3D纳米打印期间的沉积速率影响，并在ACSNano上发表了题为ImpactofElectron-BeamHeatingduring3DNanoprinting的研究论文。

由于垂直生长速率降低，市场设纳米线似乎偏向并朝向基板弯曲。化改化全图4预测BIR温度随z坐标中的总沉积高度的变化通过1D分析数学模型(实线)预测沉积物的最高温度作为沿z坐标的总沉积高度的函数。图3FEBID诱导电子束加热的一维分析模型分段增长角度(ζ)，革全国统隐含地包括在1D加热模型中随沉积物的路径长度上变化的横截面积函数A(s)。

在纳米线生长期间，面深电子束相互作用驱动沉积也引起局部加热。随着纳米线生长的热阻增加，力市电子束撞击区域的温度逐渐升高。

场建使用FEBID进行3D纳米打印的精度取决于沉积结构复制原始数字设计的程度。

目前，积极需要经验校正来补偿沉积期间的纳米线变形和弯曲，这限制了纳米级精度。(3)掺杂是非易失的，推进掺杂后的器件可在空气环境下稳定工作，且没有任何迟滞现象。

高功函数金属(Pd/Au)做接触，电力使器件极性为p型。此外，市场设以上三种掺杂手段，工艺复杂，均不能与标准的CMOS工艺兼容。

(2)表面修饰：化改化全在二维材料表明修饰化学分子或是沉积原子层，二维材料与修饰层发生电荷交换，实现二维材料极性控制。革全国统多次受邀参加国内外学术会议并做大会报告